商品名稱:P 溝道 MOSFET
品牌:IXYS
年份:20+
封裝:TO-263
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:4000 件
IXTA26P20P 采用 Littelfuse 專利 Polar? 工藝制造,P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,TO-263(D2Pak-3L)表面貼裝封裝,兼具低導(dǎo)通電阻與低柵極電荷,易于并聯(lián),可承受高 dv/dt 與雪崩能量,適合高頻、高功率密度應(yīng)用。
IXTA26P20 關(guān)鍵特性
? 低 RDS(on):典型 140 mΩ,最大 170 mΩ(@ VGS = 10 V, ID = 13 A)
? 低柵極電荷:Qg = 56 nC(典型 @ VGS = 10 V)
? 快速開關(guān):上升/下降時(shí)間 < 100 ns,易于高頻驅(qū)動(dòng)
? 高功率密度:300 W(Tc = 25 °C)
? 雪崩與 dv/dt 額定,溫度系數(shù)正,便于并聯(lián)均流
IXTA26P20 產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3)
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續(xù)漏極電流: 26 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 170 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 56 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
IXTA26P20 典型應(yīng)用
? 高邊開關(guān):汽車、工業(yè) 24 V / 48 V 母線
? 同步降壓或升壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
? 電機(jī)驅(qū)動(dòng):直流/無刷電機(jī) H 橋高邊臂
? 電源管理:電池保護(hù)、電子保險(xiǎn)絲、固態(tài)繼電器
? 測(cè)試與測(cè)量設(shè)備的大電流切換與負(fù)載控制
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國(guó)硅谷,1983年成立,主營(yíng):MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機(jī)等。業(yè)務(wù)分布于消費(fèi)、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域,產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)為高壓、高功率,涵蓋了…
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IXGH28N60B3D1絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 提供高達(dá)150 kHz的開關(guān)能力,電流范圍為66A。高開關(guān)速度和低傳導(dǎo)損耗的結(jié)合為電源設(shè)計(jì)人員提供了一種新的高價(jià)值開關(guān)應(yīng)用選擇。該產(chǎn)品具有以下主要參數(shù):IGBT 類型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值…電話咨詢:86-755-83294757
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