IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V，8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件，具有低飽和壓降VCEsat，可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。
特征描述
VCE = 1200 V
IC = 8 A
低飽和壓降VCEsat = 2 V（Tvj = 150°C）
高抗短路能力（8 μs）
寬的dv/dt 可控范圍
應用領域
IGD08N120S7適用于工業(yè)電機驅(qū)動和控制等領域，特別適合需要高電壓和高效率的輔助電源設計?。
技術(shù)規(guī)格
IGBT 類型：溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：24 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：24 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，8A
功率 - 最大值：106 W
開關(guān)能量：460μJ（導通），410μJ（關(guān)斷）
輸入類型：標準
柵極電荷：55 nC
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：15ns/149ns
測試條件：600V，8A，20 歐姆，15V
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：TO-252-3
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ROHM
TO-247GE
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
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