商品名稱:IGBT 單管
品牌:ST
年份:25+
封裝:HU3PAK-7
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級(jí)溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,其采用先進(jìn)的專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)開(kāi)發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布,使得并聯(lián)操作更為安全。其功能和技術(shù)規(guī)格如下:
功能
符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)
最高結(jié)溫:TJ = 175 °C
最短短路耐受時(shí)間為6 μs
VCE(sat) = 1.6 V(典型值)@ IC = 30 A
參數(shù)分布緊湊
安全并聯(lián)
低熱阻
超快軟恢復(fù)反向并聯(lián)二極管
通過(guò)額外的驅(qū)動(dòng)kelvin引腳實(shí)現(xiàn)出色的開(kāi)關(guān)性能
技術(shù)規(guī)格
IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):84 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):120 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A
功率 - 最大值:441 W
開(kāi)關(guān)能量:210μJ(導(dǎo)通),1.147mJ(關(guān)斷)
輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷:90 nC
25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:22ns/151ns
測(cè)試條件:400V,30A,10 歐姆,15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):223 ns
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等級(jí):汽車級(jí)
資質(zhì):AEC-Q101
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:HU3PAK-7
STGHU30M65DF2AG適用于以下各種場(chǎng)景中,包括:
? 汽車電機(jī)控制
? 電子壓縮機(jī)
? 工業(yè)電機(jī)控制
? 電源和轉(zhuǎn)換器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
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VND5N07TR 一款 N溝道功率MOSFET,屬于 OMNIFET II? 和 VIPower? 系列,采用 DPAK(TO-252-3)封裝。電話咨詢:86-755-83294757
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