商品名稱(chēng):汽車(chē) MOSFET
品牌:ST
年份:25+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:15000 件
STW58N60DM2AG是意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)推出的一款N溝道功率MOSFET,屬于MDmesh? DM2系列,采用TO-247-3封裝,適用于高壓、大電流開(kāi)關(guān)應(yīng)用,如電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)控制和汽車(chē)電子等領(lǐng)域。
STW58N60DM2AG功能
專(zhuān)為汽車(chē)應(yīng)用設(shè)計(jì)并通過(guò) AEC-Q101 認(rèn)證
快速恢復(fù)體二極管
極低的柵極電荷和輸入電容
低導(dǎo)通電阻
100% 通過(guò)雪崩測(cè)試
極高的 dv/dt 強(qiáng)度
齊納保護(hù)型
STW58N60DM2AG產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續(xù)漏極電流: 50 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 60 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 25 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 90 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 360 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-TDSON-8
35000
40V,雙 N-Ch,最大 11.6 mΩ,汽車(chē) MOSFET,雙 SS08 (5x6),OptiMOS?-T2
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱(chēng)改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴(yán)格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術(shù)規(guī)格:IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場(chǎng)景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專(zhuān)有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…STGW40H120DF2
STGW40H120DF2是一種IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),屬于H系列,具有1200V的耐壓和40A的電流處理能力。?該器件采用先進(jìn)的溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu),具有高效能、快速開(kāi)關(guān)和低導(dǎo)通損耗的特點(diǎn)。其技術(shù)規(guī)格如下:IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - …STGW30V60DF
STGW30V60DF是一款600V超高速溝槽柵場(chǎng)截止V系列IGBT,采用TO-247-3封裝,適用于需要高速開(kāi)關(guān)和高效率的應(yīng)用場(chǎng)景?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場(chǎng)景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):60 A電流 - 集電極脈沖 …STGW10M65DF2
STGW10M65DF2器件是一款I(lǐng)GBT,采用先進(jìn)的專(zhuān)有溝槽柵極場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)開(kāi)發(fā)而成。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能和效率之間的最佳平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,正VCE(sat)溫度系數(shù)和緊密的參數(shù)分布使并聯(lián)操作更加安全。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用如下:…電話咨詢(xún):86-755-83294757
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