STM32WB05KZV7微控制器采用緊湊、節(jié)能的設(shè)計,可實現(xiàn)可靠的無線性能。STM32WB0 MCU基于運(yùn)行頻率為64MHz的Arm? Cortex? M0+內(nèi)核,具有高達(dá)512Kb的閃存和64Kb的RAM。STM32WB0通過藍(lán)牙? 低功耗5.4認(rèn)證,具有同類最佳的功耗、無線電和低功耗特性,非常適合用于成本和能源敏感型無線應(yīng)用。
基本參數(shù):
產(chǎn)品:STM32WB05KZV7
類型:Bluetooth LE 5.4
核心:ARM Cortex M0+
工作頻率:2.4 GHz
最大數(shù)據(jù)速率:2 Mbps
輸出功率:8 dBm
靈敏度:- 104 dBm
電源電壓-最?。?.7 V
電源電壓-最大:3.6 V
接收供電電流:3.4 mA
傳輸供電電流:4.3 mA
程序存儲器大小:192 kB
工作溫度:- 40°C 至 + 105°C
封裝 / 箱體:VFQFPN-32
封裝:Reel
商標(biāo):STMicroelectronics
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
系列:STM32WB0
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…STGW40H120DF2
STGW40H120DF2是一種IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),屬于H系列,具有1200V的耐壓和40A的電流處理能力。?該器件采用先進(jìn)的溝槽柵場截止結(jié)構(gòu),具有高效能、快速開關(guān)和低導(dǎo)通損耗的特點。其技術(shù)規(guī)格如下:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - …STGW30V60DF
STGW30V60DF是一款600V超高速溝槽柵場截止V系列IGBT,采用TO-247-3封裝,適用于需要高速開關(guān)和高效率的應(yīng)用場景?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):60 A電流 - 集電極脈沖 …STGW10M65DF2
STGW10M65DF2器件是一款I(lǐng)GBT,采用先進(jìn)的專有溝槽柵極場截止結(jié)構(gòu)開發(fā)而成。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能和效率之間的最佳平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,正VCE(sat)溫度系數(shù)和緊密的參數(shù)分布使并聯(lián)操作更加安全。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用如下:…STGW30NC120HD
STGW30NC120HD器件是一款N溝道1200 V、30 A超快PowerMESH IGBT 晶體管。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):60 A不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):2.75V @ 15V,20A功率 - 最大值:220 W開關(guān)能量:1.66…電話咨詢:86-755-83294757
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