商品名稱：SH68N65DM6AG
數(shù)據(jù)手冊(cè)：
SH68N65DM6AG.pdf
品牌：ST
年份：23+
封裝：9-PowerSMD
貨期：全新原裝
庫(kù)存數(shù)量：2000 件
SH68N65DM6AG 器件在半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中結(jié)合了兩個(gè) MOSFET。ACEPACK SMIT 是一款非常緊湊堅(jiān)固的電源模塊，采用表面貼裝封裝，便于組裝。由于采用了 DBC 基底面，ACEPACK SMIT 封裝具有較低的熱阻和隔離的頂部散熱墊。該封裝具有很高的設(shè)計(jì)靈活性，可通過(guò)內(nèi)部電源開(kāi)關(guān)的不同組合實(shí)現(xiàn)多種配置，包括相腳、升壓和單開(kāi)關(guān)。
特點(diǎn)
通過(guò) AQG 324 認(rèn)證
半橋功率模塊
650 V 阻塞電壓
快速恢復(fù)體二極管
開(kāi)關(guān)能量極低
封裝電感低
直接鍵合銅（DBC）基板上的晶粒
熱阻低
隔離額定值為 3.4 kVrms/min
應(yīng)用
開(kāi)關(guān)應(yīng)用
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)于1987年成立，是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%；營(yíng)業(yè)…
VIPER318HDTR
VIPER318HDTR是一款高壓轉(zhuǎn)換器，它智能地集成了一個(gè) 800 V 耐壓的雪崩型功率 MOSFET 和 PWM 電流模式控制。
STTH6012W
STTH6012W 是一款超快恢復(fù)整流二極管，采用 DO-247-2 封裝，適用于 高電壓、大電流 的電源管理和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
L6699DTR
L6699DTR 是一款專為串聯(lián)諧振半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì)的雙端控制器。
STGD6NC60HDT4
STGD6NC60HDT4 是意法半導(dǎo)體推出的 N溝道IGBT（絕緣柵雙極型晶體管），屬于 PowerMESH? 系列，采用 DPAK（TO-252-3）表面貼裝封裝，適用于高頻開(kāi)關(guān)電源（SMPS）、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及工業(yè)逆變器等應(yīng)用。
L9997ND013TR
L9997ND013TR 是汽車級(jí)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 IC，專為有刷直流電機(jī)設(shè)計(jì)，具有高集成度和出色的性能，能夠提供精確的電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)功能，適用于多種汽車應(yīng)用場(chǎng)景。
VND5N07TR
VND5N07TR 一款 N溝道功率MOSFET，屬于 OMNIFET II? 和 VIPower? 系列，采用 DPAK（TO-252-3）封裝。電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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